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 大芯超导有限公司元器件专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源，能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET，基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域，医疗电源，X射线高压电源，大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，储能PCS-Buck-Boost电路，高压侧接入PV直流侧，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑，低压侧接电池组。
基本半导体混合SiC功率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅降低FRD的开关损耗与 IGBT 的开通损耗，有助于电力电子设备的降低功率损耗。不同应用条件下总损耗可以
降低20~40%。相对全SiC模块，性价比更高。
2.可以显著提高功率模块开关频率。因此有助于缩减输出滤波电感电容等周边元器件的规格成本，实现整机的小型化、在现有系统的不变的情况下，将普通IGBT模块更换为混合SiC模块实现更大的输出功率。
3.多种电流及封装规格,半桥结构。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V  典型应用：测试电源-直流源，除尘电源，等离子切割，电源医疗电源CT， MRI，轨道交通辅助电源
LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有高效率,低噪声,高功率密度等诸多优点.与传统Si基功率器件相比,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块具有更加优良的特性,更加适用于高频高压大功率场合.针对单相LLC谐振变换器在大电流大功率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块相结合提升功率密度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块，V2G电源模块，电网储能PCS，从调峰调频到备电、价差套利，储能将成为新型电力系统的稳定器，双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。  |
| 公司名称： |
深圳市大芯超导有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
广东/深圳市 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2012 |
| 资料认证： |
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| 经营范围： |
Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代，ON安森美碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，英飞凌混合SiC三电平替代，Vincotech三电平IGBT模块国产替代，ON安森三电平IGBT模块国产替代，I型NPC1三电平IGBT模块，T型NPC2三电平IGBT模块,英飞凌IGBT模块国产替代 |
| 销售的产品： |
英飞凌IGBT单管国产替代，英飞凌混合IGBT单管国产替代，英飞凌IGBT模块国产替代，BGH50N65HF1，Hybrid SiC Module，混合IGBT模块，混合碳化硅功率模块，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，62mm Hybrid SiC Module，混合型SiC模块，混合SiC模块，功率半导体，BGH75N65HF1，IGBT 混合型SiC模块，Vincotech IGBT模块国产替代，EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module，三菱IPM模块国产替代 |
| 采购的产品： |
基本半导体，储能变流器碳化硅MOSFET,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET，分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFE |
| 主营行业： |
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